高真空低維納米薄膜生長系統實驗室配備有高真空磁控濺射薄膜生長系統、PLD薄膜生長系列制備設備、射頻等離子體化學氣相沉積系統。實驗室位于明德樓D103。

高真空磁控濺射薄膜生長系統可用于開發納米級的單層及多層功能膜和複合膜-可鍍金屬、合金化合物等，應用于材料研究和功能器件的開發。

PLD薄膜生長系列制備設備用于生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料，特别适用于生長高熔點、多元素及含有氣體元素的複雜層狀超晶格薄膜材料。

射頻等離子體增強化學沉積系統利用等離子體的活性促進增強反應，主要用于沉積各種單晶、多晶或玻璃态無機薄膜材料。可以在光學玻璃、矽片、石英、不鏽鋼片等不同基底材料上，沉積碳化矽、非晶矽、微晶矽、二氧化矽等薄膜；該薄膜生長系統成膜溫度低，對基底影響小，可以避免高溫成膜所造成薄膜晶粒粗大以及基底失效等缺點，薄膜沉積速率快，薄膜質量好，組織緻密，不易産生微小裂紋。而且該系統适用範圍較廣，能夠在不同的基底上制備各種無機物薄膜。

高真空磁控濺射薄膜生長系統

 射頻等離子體增強化學沉積系統

PLD薄膜生長系列制備設備