設備名稱：場發射電子探針

設備廠家：JEOL（日本）

設備型号：JXA-iHP200F

存放地點：明德樓D106

設備參數/要求：

分析元素範圍：WDS：5B（4Be*）~92U；EDS：4Be~92U

X射線範圍：波長範圍WDS：0.087~9.3nm

能量範圍EDS：20keV

譜儀數：WDS：4個（最多5個）；EDS：1個

加速電壓：1~30KV（0.1KV steps）

探針電流範圍：1pA~3μA

探針電流穩定性：±0.3%/h，±1.0%/12h*2

二次電子像分辨率（觀察模式）：2.5nm

二次電子像分辨率（分析模式）：20nm（10kV，10nA）；50nm（10kV，100nA）

掃描放大倍數：×40~300000（WD 11mm）

掃描圖像分辨率：最大5120×3840

應用範圍：微區成分分析、定性分析、定量分析、元素分布分析