設備名稱：場發射掃描電鏡

設備廠家：TESCAN（捷克）

設備型号：TESCAN MIRA

存放地點：明德樓D108

設備參數/要求：

二次電子分辨率：1.0nm@30kV，3.5nm@1kV

背散射電子分辨率：2.0nm@30kV

放大倍數：1-1000000

加速電壓：0.2-30kV

EDS能量分辨率：129eV(Mn-Ka)

主要特點：

配備高亮度肖特基場發射電子槍，快速無縫地選擇成像或分析條件，獲得最佳的成像和分析條件；低至1倍的最小放大倍率，可輕松精準的對樣品進行導航；并配備了礦物分析軟件及EDSD取向分析。

應用範圍：

表面形貌分析；EDS成分分析；BPMA礦物分析；EBSD取向分析